EN
RU
AR
CS
DA
NL
FR
DE
EL
IT
JA
KO
PL
PT
RO
ES
IW
SR
UK
HU
TR
FA
GA
BE
UZ
KU
Високошвидкісний InGaAs фотодетектор LK-HHPD
- Wide Bandwidth ，High Speed
- High Responsivity
- Вбудований Bias-T
- High saturation Input
- Герметично закритий роз'єм SMA
- Низький темновий струм, високе співвідношення сигнал/шум.
- Малий форм-фактор.
Опис Продукту*
LK-HHPD is a high-speed detector module suitable for digital and analog applications, featuring an InGaAs PIN photodiode that covers wavelengths from 1250 to 1650 nm. It offers 12 GHz or 18 GHz bandwidths and runs on +5V power. The module is compatible with standard single-mode 9/125μm fiber and has an SMA connector for RF output with a 50 ohm impedance match.
LK-HHPD suitable for high-data-rate applications, it is hermetically sealed to protect against environmental factors, ensuring reliability and longevity. It has a lightweight design, with a mass of less than 23 grams, which is beneficial for portable or space-constrained applications. The module is certified in compliance with the Restriction of Hazardous Substances (RoHS) Directive 2.0, demonstrating adherence to environmental and safety standards.
Технічні характеристики
| Типовий та абсолютний максимальний рейтинг | ||||
|---|---|---|---|---|
| Параметр | Сим. | Typ | рейтинг | Блок |
| Діапазон температур зберігання | TSTG | -45 ~ +85 | -55 ~ +100 | ℃ |
| Діапазон робочих температур корпусу | TC | 25 | -40 ～ +85 | ℃ |
| Напруга зміщення | VR | 5 | +4.75 ～ +5.25 | V |
| Оптична вхідна потужність | Pin | 0 | +13 | дБм |
| Оптична потужність вигорання | PB | - | +16 | дБм |
| Температура паяння свинцю | Tp | 280 (10 с) | 330 (10 с) | ℃ |
| Електричні/оптичні характеристики (TC = 22 ± 3℃ ) | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| Параметр | Sym | Стан тесту | Значення параметрів | Блок | ||
| Діапазон довжин хвиль | λ | - | 1000 ～ 1650 | nm | ||
| Діапазон частот | - | - | X - Band | Ку-діапазон | - | |
| Мала пропускна здатність сигналу | f-3dB | TC = 22 ± 3℃ | 0.3 ～ 12 | 0.8 ～ 18 | ГГц | |
| Відповідальність | Re | VR =+5 V, Pin = 10mW | λ = 1310 нм | ≥ 0.75 | ≥ 0.75 | A / W |
| λ = 1550 нм | ≥ 0.7 | ≥ 0.7 | ||||
| Вихід VSWR | КСВ | - | ≤ 2 | ≤ 2.2 | - | |
| Плоскостність амплітуди | A | TC =-45～+85 ℃ | ≤ ±1.5 | dB | ||
| Оптична потужність насичення | Ps | VR =+5 V, λ = 1550 nm Модульований змінний струм |
13 | дБм | ||
| Вихідна потужність насичення радіочастот | Pз | - | -10 | дБм | ||
| Темна течія | Id | VR = 5 V | ≤ 10 | nA | ||
| Вихідний опір | RL | - | 50 | Ω | ||
● Typical Responsivity Curves
（ Fig. 1 X - Band Photodetector Frequency Response）
（ Fig. 2 Ku - Band Photodetector Frequency Response）
● Dimension and Pins (Unit: inch)
RF Connector： SMA Connector
●Інформація про замовлення
Аркуш 1：
| код | Аналогова пропускна здатність |
| X | 0.3 ～ 12 GHz |
| Ku | 0.8 ～ 18 ГГц |
Аркуш 2：
| код | Тип роз'єму | Зауваження |
| N | Без роз'єму | Одномодовий оптоволоконний пігтейл 9/125 мкм |
| A | ФК / БТР |
● Запобіжні заходи
Радіус вигину волокна не менше 20 мм, щоб уникнути пошкодження волокна.
Перед підключенням оптоволокна до оптоелектронної схеми переконайтеся, що його з'єднувальна грань чиста.
Під час зберігання, транспортування та використання потрібен відповідний захист від електростатичної електрики.
Усі наші стандартні фотодетектори можна налаштувати в модулі!
додатків
Волоконно-оптичний зв'язок
Обробка радіолокаційної інформації
Електронна війна
Високошвидкісне тестування та вимірювання сигналів
Безпека та нагляд
