EN
RU
AR
CS
DA
NL
FR
DE
EL
IT
JA
KO
PL
PT
RO
ES
IW
SR
UK
HU
TR
FA
GA
BE
UZ
KU
LK-AMPD-D Високошвидкісний мікрохвильовий фотодетектор на основі InGaAs
- High Speed，Wide Bandwidth
- Вбудований Bias-T
- Гібридний інтегрований O/E
- High Gain, Low Noise, Broadband
- Герметично закритий роз'єм SMA
- Низький темновий струм, високе співвідношення сигнал/шум.
- Малий форм-фактор.
Опис Продукту*
LK-AMPD-D is a fusion of optical and electronic components, featuring a wide-spectrum InGaAs photodiode and a minimal-noise amplifier. The InGaAs PIN photodiode has a sensitivity range from 1000 to 1650nm. The low-noise amplifier boasts an RF gain of 30dB.
LK-AMPD-D is capable of delivering bandwidths of either 12GHz or 20GHz. This device functions with a +9V power supply. It is designed to work with the standard single-mode 9/125μm fiber as input. The RF output features an SMA-type connector that is impedance-matched to 50 ohms.
LK-AMPD-D is sealed in a way that prevents the ingress of moisture and other contaminants, and it has a weight of less than 23 grams. It is certified to meet the requirements of the Restriction of Hazardous Substances (RoHS) Directive 2.0.
Технічні характеристики
| Типовий та абсолютний максимальний рейтинг | ||||
|---|---|---|---|---|
| Параметр | Сим. | Typ | рейтинг | Блок |
| Діапазон температур зберігання | TSTG | -45 ~ +85 | -55 ~ +100 | ℃ |
| Діапазон робочих температур корпусу | TC | 25 | -40 ~ +85 | ℃ |
| Напруга зміщення | VR | +9 | +9 ～ +12 | V |
| Оптична вхідна потужність | Pin | 0 | +10 | дБм |
| Оптична потужність вигорання | PB | - | +13 | дБм |
| Температура паяння свинцю | Tp | 280 (10 с) | 330 (10 с) | ℃ |
| Електричні/оптичні характеристики (TC = 22 ± 3 ℃) | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| Параметр | Sym | Стан тесту | Значення параметрів | Блок | ||
| Діапазон довжин хвиль | λ | - | 1000 ～ 1650 | nm | ||
| Діапазон частот | - | - | X-діапазон | Ку-діапазон | - | |
| Мала пропускна здатність сигналу | f-3dB | TC = 22 ± 3℃ | 0. 3 ～ 12 | 2 ～ 20 | ГГц | |
| Відповідальність | Re | VR =+9 В, Пin =10 мВт | λ = 1310 нм | ≥ 0.8 | ≥ 0.85 | A / W |
| λ = 1550 нм | ≥ 0.85 | ≥ 0.8 | ||||
| Плоскостність амплітуди | A | TC =-45～+85 ℃ | ≤ ± 2 | dB | ||
| Оптична потужність насичення | Ps | VR = +9 V, λ = 1550 nm AC Modulated | +10 | дБм | ||
| RF Signal Gain | G | - | 30 ± 1 | dB | ||
| Вихідна потужність насичення радіочастот | Pз | - | +10 | дБм | ||
| Вихід VSWR | КСВ | - | ≤ 2 | - | ||
| Вихідний опір | RL | - | 50 | Ω | ||
●Typical Response Curves
（ Fig . 1 X- Band Photodetector Frequency Response）
（ Fig . 2 Ku - Band Photodetector Frequency Response）
●Розміри та штифти (одиниця вимірювання: мм[дюйм])
Радіочастотний роз'єм: SMA
●Інформація про замовлення
Аркуш 1：
| код | RF Signal Gain | Зауваження |
| D | 30 дБ | Typical & Center Frequency |
Аркуш 2：
| код | Аналогова пропускна здатність |
| X | 0. 3 ～ 12 GHz |
| Ku | 2 ～ 20 ГГц |
Аркуш 3：
| код | Тип роз'єму | Зауваження |
| N | Без роз'єму | Одномодовий оптоволоконний пігтейл 9/125 мкм |
| A | ФК / БТР | |
| P | ФК / ПК |
●Заходи безпеки
The fiber bending radius no less than 20 mm for avoiding fiber damaged .
Перед підключенням оптоволокна до оптоелектронної схеми переконайтеся, що його з'єднувальна грань чиста.
The suitable ESD protection is required in storage, transportation and using .
Усі наші стандартні фотодетектори можна налаштувати в модулі!
додатків
Обробка радіолокаційної інформації
Електронна війна
Вимірювання антени
Волоконно-оптичний зв'язок
Безпека та нагляд
